硅钼棒在氧化气氛下加热到1200℃以上发生如下反应：2MoSi2 + 7O2→2MoO3↑+4SiO2
MoO3挥发掉，SiO2就附在元件表面生成致密的石英玻璃膜，保护基体不再氧化。因此，硅钼棒的抗氧化性很好，在氧化气氛下额定使用温度可达1700℃(低于石英溶点1713℃)。如因为机械的或化学的损伤而破坏了Si02膜，在使用过程中还会自动再次生成。
硅钼棒的性能与金属陶瓷材料相似，在室温下既硬又脆，抗冲击强度较低；抗弯、抗拉强度较好; 在1350℃以上便会发生塑性变形。冷热急变性良好，冷却后恢复脆性。硅钼棒的电阻率较小，其电阻-温度特性与金属的相似，为正温度特性，从室温到高温，电阻率随温度增长较快，电阻不随使用时间的延长而增长。
